M95040-RMB6TG

M95040-RMB6TG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进CMOS工艺制造的串行EEPROM存储器芯片。该器件内部集成了512×8位的存储阵列，通过高效的SPI（Serial Peripheral Interface）串行总线与主控制器通信。其架构设计注重可靠性与低功耗，内部包含地址/数据寄存器、控制逻辑、高压发生器以及用于数据存储的EEPROM单元矩阵，确保在宽电压范围内数据的稳定读写与长期保存。

该芯片的核心特性在于其宽电压工作范围（1.8V至5.5V），使其能够无缝兼容从1.8V、3.3V到5V的各种主流逻辑系统，极大提升了设计的灵活性。其SPI接口支持高达20MHz的时钟频率，可实现高速数据传输，满足对实时性要求较高的应用场景。在数据写入方面，芯片支持字节写入和页写入模式，页写功能允许在一次操作中连续写入最多16字节的数据，提高了编程效率，其典型的字节/页写入周期时间为5ms。此外，器件内置了写保护控制机制，通过软件指令或硬件写保护引脚（WP）可防止对存储数据的意外修改，增强了系统的安全性。

在电气参数与物理特性上，M95040-RMB6TG表现出优异的稳健性。它具备超过100万次的擦写周期以及超过40年的数据保存期限，保证了在生命周期内数据的极端可靠性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，能够适应苛刻的环境条件。芯片采用紧凑的8引脚UFDFPN表面贴装封装，符合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。

基于其高可靠性、宽电压兼容性和小型化封装，M95040-RMB6TG非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或运行日志的各类电子系统中。典型应用场景包括工业自动化中的传感器模块、PLC模块，消费电子中的智能家电、机顶盒，汽车电子中的车身控制模块、娱乐系统，以及通信设备、医疗仪器和物联网终端设备等。它为设计师提供了一个经济高效且可靠的嵌入式非易失性存储解决方案。

• 型号:M95040-RMB6TG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-UFDFPN（2x3）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC EEPROM 4KBIT SPI 8UFDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:EEPROM
• 技术:EEPROM
• 存储容量:4Kb
• 存储器组织:512 x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:20 MHz
• 写周期时间 - 字，页:5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-UFDFPN（2x3）
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M95040-RMB6TG是ST意法半导体生产的一款4Kbit容量串行EEPROM存储器。该器件采用标准的SPI接口，最高时钟频率可达20MHz，支持高速数据读写操作。其存储结构为512×8位，并支持字节编程及页编程模式，典型页写周期时间为5ms。

芯片设计具备出色的环境适应性，其宽电压供电范围（1.8V~5.5V）使其能兼容多种逻辑电平系统，工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业标准。器件采用8-UFDFN小型化表面贴装封装，适用于对空间有严格要求的紧凑型电子设计，为系统参数、配置信息的非易失性存储提供了可靠的解决方案。