NAND512W3A2BN6F

NAND512W3A2BN6F是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的512Mb（64M x 8位）NAND闪存芯片，采用并行接口和48-TSOP封装。该器件基于成熟的浮栅NAND闪存技术构建，其核心架构采用分页式存储管理，将512Mb的总容量组织为可进行页编程和块擦除操作的阵列，这种结构在实现高密度数据存储的同时，优化了大规模数据写入和擦除的效率。

该芯片的功能特点突出体现在其50ns的快速页写入和访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围上，这使其能够在波动较大的电源环境下稳定工作。其并行接口支持高速的数据吞吐，适用于需要连续读写操作的场景。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计依然体现了高可靠性，工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业级标准，确保了在严苛环境下的数据完整性。对于仍需此型号进行产品维护或特定系统设计的客户，可以通过正规的ST一级代理渠道获取库存或替代方案咨询。

在接口与关键参数方面，NAND512W3A2BN6F采用8位并行数据总线，以页为基本编程单位，以块为基本擦除单位，这是标准NAND闪存的典型操作模式。其50ns的写入周期时间与访问时间相匹配，有利于简化系统时序设计。芯片采用表面贴装型（SMT）的48-TFSOP封装，封装宽度为18.40mm，适合空间受限的PCB布局。

从应用场景来看，这款芯片曾广泛应用于需要中等容量、非易失性数据存储的嵌入式系统中。其典型的应用领域包括工业控制设备、网络通信模块、打印机、数字电视以及各类需要固件存储或数据日志功能的消费电子产品和工业终端。其宽温特性和稳定的性能使其尤其适合对环境适应性和数据可靠性有要求的工业与汽车电子应用，尽管已停产，但在存量设备的维护和特定延续性项目中仍具价值。

• 型号:NAND512W3A2BN6F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• 想获取NAND512W3A2BN6F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

NAND512W3A2BN6F是ST意法半导体推出的一款512Mb（64M x 8）并行接口NAND闪存存储器。该芯片采用48-TSOP封装，基于浮栅NAND闪存技术，提供非易失性数据存储解决方案。

其核心特性包括50ns的快速页写入/访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压工作范围，确保了在多种电源条件下的稳定操作。器件支持工业级温度范围（-40°C至85°C），并通过并行接口实现高效数据传输，适用于对可靠性和环境适应性有要求的嵌入式存储应用。