STL117N4LF7AG

STL117N4LF7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET F7技术平台构建，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡。其沟槽栅极结构经过优化，有效降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时通过精细的单元设计控制了寄生电容，这对于提升功率转换效率和开关频率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括高达119A的连续漏极电流（T_C）承载能力以及低至3.5mΩ（典型条件）的导通电阻。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.5V，结合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流微控制器和驱动IC轻松兼容，实现高效可靠的栅极控制。此外，较低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）显著减少了开关过程中的损耗和驱动电路的压力，有助于提升系统整体能效。

在电气参数方面，该器件具备40V的漏源击穿电压（V_DSS），为12V或24V汽车电池系统提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车电子严苛的环境要求。物理封装采用创新的PowerFlat（5x6）封装，这种表面贴装型封装具有优异的热性能和极低的封装寄生电感，有利于功率耗散和高频运行，最大功耗可达94W（T_C）。对于需要可靠供应链支持的国内项目，可以通过授权的ST中国代理进行采购与技术咨询。

基于其高性能与高可靠性设计，STL117N4LF7AG非常适用于对效率和空间有严格要求的汽车电子应用场景。其主要应用方向包括电机驱动控制（如电动助力转向、风扇/水泵控制）、DC-DC转换器（尤其是同步整流拓扑中的低压侧开关）以及各类负载开关与电源管理模块。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性能够直接转化为更低的系统温升、更高的功率密度以及更长的续航里程，是下一代汽车电气化与智能化平台的关键功率开关元件之一。

• 型号:STL117N4LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):119A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL117N4LF7AG是意法半导体基于STripFET F7技术开发的一款车规级N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其极低的导通电阻（R_DS(on)典型值3.5mΩ）与高达119A的连续电流处理能力，这使其在导通状态下的功率损耗降至极低水平。

其设计兼顾了开关性能，具备较低的栅极电荷和输入电容，有利于实现高频高效开关。40V的漏源电压和-55°C至175°C的宽工作结温范围，配合PowerFlat封装出色的热特性，确保了其在严苛的汽车电子环境（如电机驱动、DC-DC转换器）中的可靠性与稳定性。