STP10N95K5

STP10N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心在于通过第五代SuperMESH技术显著降低了单位面积的导通电阻，同时有效控制了寄生电容，这使得器件在高压开关应用中能够兼顾低导通损耗与高开关效率。

该MOSFET具备高达950V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在高压离线式电源拓扑中的应用提供了坚实的可靠性保障。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为8A，最大功率耗散可达130W，展现了强大的电流处理与散热能力。其导通电阻典型值在10V栅极驱动电压（V_GS）下表现优异，有助于降低导通状态下的功率损耗。此外，最大栅极电荷（Q_g）仅为22nC，结合630pF的典型输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的充电电流更小，有助于简化驱动设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。

在电气接口与参数方面，STP10N95K5的标准栅极驱动电压为10V，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通/关断状态。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的最大值，为驱动设计提供了充足的裕量。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理，其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是可靠的选择。

得益于其高耐压、低导通电阻与快速开关特性的结合，STP10N95K5非常适用于需要高效能和高可靠性的功率转换场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，并满足对高功率密度和稳定性的设计要求。

• 型号:STP10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（V_DSS）额定值与低至800毫欧（典型值）的导通电阻（R_DS(on)），这使其在高压应用中能显著降低导通损耗。

同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为22nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗，提升系统整体效率。该MOSFET采用TO-220封装，在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流和130W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为工业级电源与功率转换设计提供了可靠、高效的解决方案。