STF10N60M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF10N60M2是一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II Plus产品系列。该系列采用了优化的垂直结构设计，通过创新的单元布局和加工工艺，在单位芯片面积内实现了更低的导通电阻与栅极电荷乘积（R_DS(on) × Q_G），这一核心架构的改进直接提升了器件的整体能效和开关性能。

在功能特性上，这款器件展现了出色的平衡性。其600V的漏源击穿电压（V_DSS）确保了在离线式开关电源等高压应用中的可靠性与安全裕度。同时，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为600毫欧（在4A条件下），这有效降低了导通状态下的功率损耗。更值得关注的是其极低的栅极电荷（Q_G）特性，最大值仅为13.5nC，结合适中的输入电容（C_iss），使得开关过程更为迅速，显著减少了开关损耗，尤其有利于高频开关电源的设计，有助于提升系统功率密度。

从接口与电气参数来看，STF10N60M2在25°C壳温下可支持高达7.5A的连续漏极电流，最大功耗为25W。其栅极阈值电压（V_GS(th)）设计合理，最大值4V，提供了良好的噪声抑制能力，而±25V的最大栅源电压则增强了驱动的鲁棒性。器件采用标准的TO-220FP封装，这种通孔安装形式兼顾了散热性能与机械强度，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

基于上述技术特点，STF10N60M2非常适用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换场景。其典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主变换器、照明系统的电子镇流器、电机驱动控制以及UPS（不间断电源）系统中的功率开关。其优异的性能平衡使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的优选器件。

• 型号:STF10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF10N60M2是意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其优化的技术平台，在600V的额定电压下，实现了低至600毫欧的导通电阻与仅13.5nC的栅极电荷的出色组合，这直接转化为更低的导通与开关损耗，提升了整体能效。

其电气参数设计均衡，在10V驱动下即可获得优异的导通特性，同时支持7.5A的连续电流和25W的功率耗散。TO-220FP封装提供了良好的散热路径，宽达-55°C至150°C的工作结温范围确保了其在各种环境下的可靠性。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中功率开关电源及电机驱动应用的理想选择。