STW27NM60ND

STW27NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的FDmesh II技术平台构建，专为要求高可靠性和高效率的功率转换应用而设计。该器件采用TO-247-3通孔封装，其核心架构优化了单元密度和栅极设计，旨在显著降低导通电阻与栅极电荷的乘积（R_DS(on) × Q_G），这一关键指标直接关系到开关损耗和系统整体能效。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和21A的连续漏极电流（I_D）能力，为其在高压环境下处理可观功率提供了坚实基础。其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压下典型值较低，最大值仅为160毫欧（@ 10.5A），这意味着在导通状态下产生的传导损耗被有效抑制。配合高达±25V的栅源电压（V_GS）耐受范围和优化的动态参数，器件在开关过程中表现出良好的稳健性和快速响应特性，有助于提升开关频率并简化驱动电路设计。

在接口与参数方面，其阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件标称的功率耗散能力为160W（基于壳温），结合其高达150°C的最大结温（T_J），赋予了其在恶劣热环境下的工作潜力。作为符合AEC-Q101标准的Automotive（汽车级）产品系列成员，其设计、制造和测试流程均遵循车规级可靠性要求，适用于对长期稳定性和质量有严苛标准的领域。对于需要获取官方正品和技术支持的客户，建议通过ST授权代理进行采购。

得益于其高耐压、低导通电阻和车规级可靠性，STW27NM60ND非常适合于各类离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器以及工业逆变器等应用场景。在这些系统中，它常被用作主开关管或同步整流管，是提升能源转换效率、实现系统小型化和高功率密度的关键元器件之一。

• 型号:STW27NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW27NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心特性包括600V的漏源电压（Vdss）和21A的连续漏极电流（Id）处理能力，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧（@10.5A, 10V），有助于显著降低导通损耗。

作为符合AEC-Q101标准的汽车级（Automotive）产品，它具备150°C的最大结温（TJ）和160W的功率耗散能力，设计旨在满足高可靠性应用对热管理和长期稳定性的严苛要求。这些参数使其成为高压、高效率功率转换设计的理想选择。