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BZW50-82的图片

BZW50-82

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-82的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-82的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-82是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件采用成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理作为其核心保护机制,其内部结构经过优化,旨在提供快速、可靠的箝位响应。当电路中出现超过其反向断态电压的瞬态过压尖峰时,器件能迅速从高阻态切换到低阻态,将危险电压分流至地,从而将受保护线路上的电压限制在一个安全的水平。

该器件的一个显著特点是其高达5000W(5kW)的峰值脉冲功率处理能力,结合317A的峰值脉冲电流承受力,使其能够吸收并耗散极大的瞬态能量,有效应对如雷击感应、感性负载切换等产生的严重浪涌。其箝位电压最大值在特定测试条件下为189V,与91V的最小击穿电压配合,为后端82V工作电压的精密电路提供了明确的保护窗口和足够的安全裕度。作为单向TVS二极管,它专门用于保护直流极性明确的线路。其轴向引线封装(R-6)设计便于在PCB上进行通孔安装,提供稳固的机械连接和良好的散热路径。

在电气参数方面,BZW50-82标称82V的反向断态电压,适用于保护工作电压在此附近的电路节点。值得注意的是,其在1MHz频率下测得约26000pF的结电容,这一特性意味着在高速数据线路上应用时需评估其对信号完整性的潜在影响。对于需要技术支持和本地化服务的客户,可以联系ST中国代理获取详细的产品资料、应用指导及供应链支持。该器件状态为有源,表明其为ST当前主力推广和供应的成熟产品。

凭借其通用型的产品定位和强大的浪涌抑制能力,BZW50-82广泛应用于工业自动化控制系统、电源输入端口、通信设备接口以及汽车电子模块中,为其中的敏感半导体元器件,如微控制器、运算放大器及功率MOSFET的栅极,提供至关重要的过压保护。它尤其适合安装在AC-DC转换器的直流输出侧、继电器或电机驱动器的控制端,以抵御来自电源线或负载端的瞬态干扰,提升整个电子系统的可靠性与鲁棒性。

  • 型号:BZW50-82
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 82VWM 189VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):82V
  • 电压 - 击穿(最小值):91V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):189V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):317A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:26000pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-82的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-82是ST意法半导体生产的一款高性能单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列。该器件设计用于箝制危险的电压瞬变,其核心参数包括82V的反向断态电压、91V的最小击穿电压以及最高189V的箝位电压,为工作于类似电压等级的电路提供了清晰的保护阈值。

该器件的突出优势在于其强大的浪涌处理能力,能够承受高达317A的峰值脉冲电流,并耗散5000W的峰值脉冲功率,使其能够有效应对严苛的过压事件,如雷击浪涌或负载突降。其通孔轴向封装(R-6)确保了安装的稳固性和散热效能。这些特性使其成为保护工业电源、通信端口及通用电子设备中敏感元件免受瞬态过压损坏的可靠选择。

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