STP18NM60ND

STP18NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过精细的单元布局和创新的工艺处理，有效降低了单位面积下的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的坚固性与可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力，这使其能够从容应对工业级功率转换中的高压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、6.5A漏极电流条件下典型值仅为290毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，34nC的栅极电荷（Qg）和约1030pF的输入电容（Ciss）参数，表明器件具有较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±25V的Vgs，增强了应用的灵活性。最大结温（Tj）高达150°C，结合110W（Tc）的功率耗散能力，赋予了其强大的热性能。用户可通过正规的ST代理商获取该产品的技术支持和供货信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在进行新设计选型时需考虑替代方案或库存情况。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，STP18NM60ND非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、电机驱动控制器的逆变桥臂、不间断电源（UPS）以及工业照明中的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，并确保在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STP18NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP18NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件核心参数为600V漏源电压（Vdss）和13A连续漏极电流（Id），采用TO-220封装，专为高压、高功率应用设计。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）低至290毫欧，同时栅极电荷（Qg）仅为34nC。这种低导通电阻与低栅极电荷的组合，实现了传导损耗与开关损耗的双重优化，有助于提升整体电源转换效率。器件结温最高可达150°C，确保了在高温环境下的可靠工作能力。