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VNQ660SP-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VNQ660SP-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNQ660SP-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNQ660SP-E是ST意法半导体推出的一款单片集成式四通道高端智能功率开关,采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造。该芯片集成了四个独立的N通道功率MOSFET,每个通道均采用高端配置,可直接连接在电源与负载之间,无需额外的电源为驱动器供电,简化了系统设计。其核心架构将功率级、保护电路与逻辑控制单元高度集成于单一硅片,实现了高功率密度与高可靠性。

该器件具备多项关键功能特性。其导通电阻典型值仅为40毫欧,在6A的最大连续输出电流下能有效降低导通损耗和温升,提升系统效率。芯片内置了全面的故障保护机制,包括固定阈值限流保护,可防止输出短路或过载对器件造成永久性损伤;开路负载检测功能能在负载断开时提供诊断信号;集成的热关断电路在结温超过安全阈值时自动禁用输出,并在温度降低后恢复,确保工作安全。此外,状态标志(ST)输出引脚为微控制器提供了清晰的故障反馈,便于系统实现诊断与容错控制。

在接口与电气参数方面,VNQ660SP-E采用简单的开/关数字接口,输入信号为非反相逻辑,与标准微控制器GPIO直接兼容,易于驱动。其工作电压范围覆盖6V至36V,适用于12V或24V的汽车及工业电池系统。值得注意的是,该器件无需独立的VCC/VDD供电引脚,其内部逻辑由负载电源通过自举方式供电,进一步减少了外部元件。其坚固的设计支持-40°C至150°C的宽结温范围,采用表面贴装型10-PowerSO封装,具有良好的散热性能和机械强度。对于需要可靠供货与技术支持的客户,可以联系ST中国代理获取相关服务。

凭借其高集成度、强大的驱动与保护能力,该芯片非常适合要求苛刻的汽车电子与工业自动化应用场景。在汽车领域,常用于驱动车身控制模块中的各类阻性、感性负载,如座椅加热器、门窗电机、照明灯组等。在工业控制中,它可用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块、电磁阀驱动、小型电机控制等,其可靠的保护功能确保了系统在恶劣电气环境下的稳定运行。

  • 型号:VNQ660SP-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:4
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:6V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):6A
  • 导通电阻(典型值):40 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 想获取VNQ660SP-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNQ660SP-E是ST意法半导体生产的一款四通道高端智能功率开关,属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器类别。该器件采用10-PowerSO封装,集成了四个独立的N通道功率MOSFET,每个通道支持高达6A的连续输出电流,并具备仅40毫欧的典型导通电阻,能显著降低功率损耗。

其核心优势在于集成了完备的故障保护功能,包括固定值限流、开路负载检测、过温关断及过压保护。器件工作电压范围为6V至36V,兼容12V/24V系统,且无需外部VCC供电。通过简单的开/关非反相逻辑接口控制,并提供了状态标志引脚用于故障诊断,简化了系统设计并增强了可靠性。

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