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ULN2003D1013TR的图片

ULN2003D1013TR

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
原厂封装:封装:16-SO
优势价格,ULN2003D1013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2003D1013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2003D1013TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、高集成度的七通道达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用成熟的单片集成电路工艺,在单一封装内集成了七个独立的NPN达林顿对管,每个通道均内置了续流二极管,为驱动感性负载提供了完整的解决方案。其核心架构基于达林顿复合管设计,通过两级晶体管的直接耦合,实现了极高的电流增益,使得微控制器或逻辑电路输出的微弱电流信号能够被有效放大,从而直接驱动继电器、步进电机、LED显示阵列等需要较大工作电流的负载。

该芯片的功能特点十分突出。首先,其集电极电流(Ic)额定值高达500mA,集射极击穿电压(VCE)为50V,能够满足大多数工业和消费电子应用中的负载驱动需求。其次,每个达林顿通道在典型工作条件下(如350mA集电极电流时)的直流电流增益(hFE)最小值可达1000,这意味着仅需极小的输入基极电流即可控制较大的输出电流,极大地减轻了前级控制电路的负担。此外,芯片内部集成了共阴极续流二极管,用于在驱动继电器、螺线管或电机等感性负载时,为关断瞬间产生的高压反电动势提供泄放回路,有效保护了芯片自身及外围电路,提升了系统的稳定性和耐用性。

在接口与电气参数方面,ULN2003D1013TR采用标准的16引脚SOIC表面贴装封装,兼容自动化贴片生产。其输入侧与标准的5V TTL或CMOS逻辑电平兼容,输出侧为集电极开路形式,提供了灵活的接线方式。在饱和状态下,其集电极-发射极饱和压降(VCE(sat))典型值较低,有助于减少芯片自身的功耗和发热。工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其强大的驱动能力、高度的集成性和内置的保护功能,该芯片广泛应用于多种场景。它是自动化控制系统中驱动继电器阵列的理想选择,常用于PLC模块、智能家居控制器等。在消费电子领域,它常用于驱动打印机头、小型直流电机或大功率LED数码管显示屏。此外,在汽车电子、办公设备以及工业仪表中,也常见其用于驱动指示灯、蜂鸣器或小型步进电机。其设计简化了外围电路,降低了系统成本,并提高了整体可靠性,是工程师在需要多通道中功率开关或驱动解决方案时的经典之选。

  • 型号:ULN2003D1013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):-
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):-
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:16-SO
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ULN2003D1013TR是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列集成电路,采用16-SOIC表面贴装封装。该器件专为需要多路中功率开关或驱动的应用而设计,集成了七个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达500mA的集电极输出电流和50V的集射极击穿电压。

其核心优势在于极高的电流放大能力,在350mA输出电流下直流电流增益(hFE)最小值达1000,使其能够直接由微控制器或逻辑IC的低电平信号驱动继电器、螺线管、步进电机及LED显示面板等负载。芯片内部集成了续流二极管,为驱动感性负载提供了必要的保护,简化了外围电路设计。其宽泛的工作温度范围(-40°C至85°C)确保了在各类环境下的稳定性和可靠性。

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