STY30NK90Z

STY30NK90Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔MAX247封装，专为在高电压、大电流的严苛环境下实现高效、可靠的功率开关而设计。其核心架构通过优化的单元设计和工艺技术，在900V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低高频开关应用中的导通损耗和开关损耗至关重要。

该器件的功能特点突出体现在其高耐压与大电流处理能力上。在壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）可达26A，最大功率耗散为450W，确保了在持续高负载下的稳定运行。其导通电阻在14A电流、10V栅源电压下最大仅为260毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而最大栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其栅极电荷（Qg）典型值控制在较低水平，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。

在接口与关键参数方面，STY30NK90Z的驱动电压建议为10V以达到最小导通电阻。其输入电容（Ciss）在25V漏源电压下最大为12000pF，设计驱动电路时需考虑此容性负载对开关瞬态的影响。器件的工作结温（Tj）范围宽广，从-65°C延伸至150°C，适应各种环境温度下的应用需求。作为一款已进入停产状态的产品，在升级或新设计选型时，用户可通过官方授权的ST代理渠道咨询替代方案或获取库存信息，以确保供应链的连续性与设计支持。

得益于其高压、高效的特性，该MOSFET非常适合应用于要求苛刻的工业与消费类电源领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和硬开关拓扑、大功率照明（如HID灯）电子镇流器、工业电机驱动及UPS（不间断电源）系统中的功率转换级。在这些应用中，它能够有效处理高电压应力，同时通过低损耗特性帮助提升整体能效，满足现代电力电子设备对高功率密度和高可靠性的双重追求。

• 型号:STY30NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:490 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STY30NK90Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STY30NK90Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用通孔MAX247封装，核心规格为900V漏源电压（Vdss）和26A（Tc）连续漏极电流，展现出卓越的高压大电流处理能力。

其技术优势在于实现了关键参数的优化平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大仅为260毫欧 @ 14A，有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）特性有助于实现高效的开关性能。这些特性使其成为工业级开关电源、功率因数校正（PFC）及电机驱动等高压、高效能应用场景中的理想功率开关解决方案。