NAND256W3A0AN6E

NAND256W3A0AN6E是ST意法半导体推出的一款256Mb NAND闪存芯片，采用48-TSOP表面贴装封装，专为需要可靠、非易失性数据存储的嵌入式系统设计。该器件基于成熟的NAND闪存技术，其核心架构采用经典的并联接口，内部组织为32M x 8位的存储阵列，通过页和块的结构进行管理，以实现高效的数据读写与擦除操作。

该芯片具备50ns的快速页写入和访问时间，能够在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，确保了在电源波动环境下的数据完整性。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，使其能够适应工业控制、汽车电子等严苛环境的应用需求。作为一款并行接口闪存，它提供了直接、高效的存储器访问方式，简化了主控芯片的接口设计。对于需要获取此型号技术资料或库存支持的开发者，可以联系ST中国代理以获取进一步信息。

在电气参数方面，芯片采用单电源供电，兼容常见的3.3V逻辑电平，其并联接口设计便于与各类微控制器或处理器直接连接。尽管该产品目前已处于停产状态，但其256Mb（32MB）的存储容量、稳定的性能以及工业级的温度规格，使其在存量市场及特定延续性项目中仍具有应用价值。其48-TFSOP封装形式兼顾了板卡空间利用与生产的便利性。

典型应用场景包括工业自动化控制器、网络通信设备、打印机、数字电视以及各类需要固件存储或数据日志功能的嵌入式终端。在这些领域中，该芯片能够为系统代码、配置参数或用户数据提供可靠的存储解决方案，尤其适合对成本敏感且对存储性能有明确要求的批量应用。

• 型号:NAND256W3A0AN6E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:32M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
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NAND256W3A0AN6E是ST意法半导体生产的一款256Mb（32M x 8）并行接口NAND闪存存储器，采用48-TSOP封装。该器件提供非易失性数据存储，页写入和访问时间均为50ns，并在2.7V至3.6V的电压范围内工作。

其核心特性包括宽工作温度范围（-40°C至85°C）和表面贴装型设计，适用于工业级嵌入式环境。该芯片适用于需要中等容量、稳定可靠存储解决方案的应用，如工业控制、通信设备及消费电子等领域的固件与数据存储。