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STFW3N170
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STFW3N170技术资料
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STFW3N170
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
原厂封装:
ISOWATT-218FX
优势价格,STFW3N170的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STFW3N170的技术资料下载
STFW3N170的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STFW3N170
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 1700V 2.6A ISOWATT
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:PowerMESH
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):1700V
25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 欧姆 @ 1.3A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 100V
FET功能:-
功率耗散(最大值):63W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:ISOWATT-218FX
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