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STG3P2M10N60B
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STG3P2M10N60B技术资料
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STG3P2M10N60B
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
原厂封装:
SEMITOP?2
优势价格,STG3P2M10N60B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STG3P2M10N60B的技术资料下载
STG3P2M10N60B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STG3P2M10N60B
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:-
配置:三相反相器
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):19A
功率-最大值:56W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A
电流-集电极截止(最大值):10μA
不同?Vce时输入电容(Cies):0.72nF @ 25V
输入:单相桥式整流器
NTC热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:SEMITOP?2
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