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STG3P2M10N60B
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STG3P2M10N60B技术资料
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STG3P2M10N60B
IGBT模块
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
原厂封装:
SEMITOP2
优势价格,STG3P2M10N60B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STG3P2M10N60B的技术资料下载
STG3P2M10N60B的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STG3P2M10N60B
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
系列:SEMITOP
IGBT 类型:-
配置:三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):19A
功率 - 最大值:56W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,7A
电流 - 集电极截止(最大值):10μA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies):0.72nF @ 25V
输入:单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
ST公司封装:SEMITOP2
ST出厂封装:SEMITOP2
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