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STGB15H60DF
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STGB15H60DF技术资料
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STGB15H60DF
单路IGBT
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
IGBT 600V 30A 115W D2PAK
原厂封装：
D2PAK
优势价格，STGB15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB15H60DF的技术资料下载
STGB15H60DF的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STGB15H60DF
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：IGBT 600V 30A 115W D2PAK
系列：-
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，15A
功率 - 最大值：115W
Switching Energy：136μJ （开）， 207μJ （关）
输入类型：标准
Gate Charge：81nC
25°C 时 Td（开/关）值：24.5ns/118ns
Test Condition：400V, 15A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：103ns
ST公司封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
ST出厂封装：D2PAK
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