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STGB20H65DFB2
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STGB20H65DFB2价格
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STGB20H65DFB2技术资料
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STGB20H65DFB2
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
原厂封装：
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
优势价格，STGB20H65DFB2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB20H65DFB2的技术资料下载
STGB20H65DFB2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGB20H65DFB2
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：HB2
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
电流-集电极脉冲(Icm)：60A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A
功率-最大值：147W
开关能量：265μJ（开），214μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：56nC
25°C时Td（开/关）值：16ns/78.8ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：215ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
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