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STGB20NB32LZ
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STGB20NB32LZ技术资料
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STGB20NB32LZ
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 375V 40A 150W I2PAK
原厂封装:
TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
优势价格,STGB20NB32LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB20NB32LZ的技术资料下载
STGB20NB32LZ的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGB20NB32LZ
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 375V 40A 150W I2PAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:PowerMESH
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):375V
电流-集电极(Ic)(最大值):40A
电流-集电极脉冲(Icm):80A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 4.5V,20A
功率-最大值:150W
开关能量:11.8mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:51nC
25°C时Td(开/关)值:2.3s/11.5s
测试条件:250V,20A,1 千欧,4.5V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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