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STGB3NB60KDT4
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STGB3NB60KDT4技术资料
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STGB3NB60KDT4
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 600V 10A 50W D2PAK
原厂封装：
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
优势价格，STGB3NB60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB3NB60KDT4的技术资料下载
STGB3NB60KDT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGB3NB60KDT4
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 600V 10A 50W D2PAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：PowerMESH?
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
电流-集电极脉冲(Icm)：24A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
功率-最大值：50W
开关能量：30μJ（开），58μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：14nC
25°C时Td（开/关）值：14ns/33ns
测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：45ns
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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