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    STGB3NB60SDT4的图片

    STGB3NB60SDT4

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 600V 6A 70W D2PAK
    原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
    优势价格，STGB3NB60SDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STGB3NB60SDT4的技术资料下载
    电话询问价格
    STGB3NB60SDT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGB3NB60SDT4
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 6A 70W D2PAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：6A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：70W
  • 开关能量：1.15mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：18nC
  • 25°C时Td（开/关）值：125ns/3.4μs
  • 测试条件：480V，3A，1 千欧，15V
  • 反向恢复时间(trr)：1.7μs
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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