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STGB3NC120HDT4的图片

STGB3NC120HDT4

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
原厂封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
优势价格，STGB3NC120HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGB3NC120HDT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGB3NC120HDT4
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：14A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：20A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：75W
  • 开关能量：236J（开），290J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：24nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/118ns
  • 测试条件：800V，3A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：51ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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