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STGB40H65FB
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STGB40H65FB技术资料
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STGB40H65FB
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
原厂封装:
TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
优势价格,STGB40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB40H65FB的技术资料下载
STGB40H65FB的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGB40H65FB
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:HB
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):650V
电流-集电极(Ic)(最大值):80A
电流-集电极脉冲(Icm):160A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
功率-最大值:283W
开关能量:498J(开),363J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:210nC
25°C时Td(开/关)值:40ns/142ns
测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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