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STGB5H60DF的图片

STGB5H60DF

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

原厂封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

优势价格，STGB5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGB5H60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGB5H60DF

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：-

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：600V

电流-集电极(Ic)（最大值）：10A

电流-集电极脉冲(Icm)：20A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A

功率-最大值：88W

开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：43nC

25°C时Td（开/关）值：30ns/140ns

测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：134.5ns

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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