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STGB7H60DF
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STGB7H60DF技术资料
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STGB7H60DF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 600V 14A 88W D2PAK
原厂封装:
TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
优势价格,STGB7H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGB7H60DF的技术资料下载
STGB7H60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGB7H60DF
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):14A
电流-集电极脉冲(Icm):28A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,7A
功率-最大值:88W
开关能量:99J(开),100J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:46nC
25°C时Td(开/关)值:30ns/160ns
测试条件:400V,7A,47 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):136ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-263-3,DPak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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