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STGD10HF60KD
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STGD10HF60KD技术资料
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STGD10HF60KD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 600V 10A DPAK
原厂封装：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，STGD10HF60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGD10HF60KD的技术资料下载
STGD10HF60KD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGD10HF60KD
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 600V 10A DPAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：Automotive, AEC-Q101
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
电流-集电极脉冲(Icm)：30A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，5A
功率-最大值：62.5W
开关能量：45μJ（开），105μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：23nC
25°C时Td（开/关）值：9.5ns/87ns
测试条件：400V，5A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：50ns
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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