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STGD18N40LZT4

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：IGBT 420V 25A 125W DPAK

原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

优势价格，STGD18N40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGD18N40LZT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGD18N40LZT4

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

零件状态：有源

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：420V

电流-集电极(Ic)（最大值）：25A

电流-集电极脉冲(Icm)：40A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A

功率-最大值：125W

开关能量：-

输入类型：逻辑

栅极电荷：29nC

25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5μs

测试条件：300V，10A，5V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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