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STGD18N40LZT4的图片

STGD18N40LZT4

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：IGBT 420V 25A 125W DPAK
原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，STGD18N40LZT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGD18N40LZT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGD18N40LZT4
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 420V 25A 125W DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：420V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：25A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：40A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A
  • 功率-最大值：125W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：逻辑
  • 栅极电荷：29nC
  • 25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5s
  • 测试条件：300V，10A，5V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 想获取STGD18N40LZT4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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