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STGD3NB60FT4
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STGD3NB60FT4技术资料
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STGD3NB60FT4
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 600V 6A 60W DPAK
原厂封装:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,STGD3NB60FT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGD3NB60FT4的技术资料下载
STGD3NB60FT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGD3NB60FT4
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:PowerMESH
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):6A
电流-集电极脉冲(Icm):24A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,3A
功率-最大值:60W
开关能量:125J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:16nC
25°C时Td(开/关)值:12.5ns/105ns
测试条件:480V,3A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):45ns
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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