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STGD3NB60SD-1的图片

STGD3NB60SD-1

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晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 6A 48W DPAK
原厂封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
优势价格,STGD3NB60SD-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGD3NB60SD-1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号:STGD3NB60SD-1
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):6A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:48W
  • 开关能量:1.1mJ(开),1.15mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:18nC
  • 25°C时Td(开/关)值:125μs/3.4μs
  • 测试条件:480V,3A,1 千欧,15V
  • 反向恢复时间(trr):1.7μs
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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