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STGD5H60DF
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STGD5H60DF技术资料
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STGD5H60DF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
原厂封装：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，STGD5H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGD5H60DF的技术资料下载
STGD5H60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGD5H60DF
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
电流-集电极脉冲(Icm)：20A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A
功率-最大值：83W
开关能量：56μJ（开），78.5μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：43nC
25°C时Td（开/关）值：30ns/140ns
测试条件：400V，5A，47 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：134.5ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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