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    STGD6M65DF2的图片

    STGD6M65DF2

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
    原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    优势价格，STGD6M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    STGD6M65DF2的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGD6M65DF2
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：M
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：12A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：24A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A
  • 功率-最大值：88W
  • 开关能量：36μJ（开），200μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：21.2nC
  • 25°C时Td（开/关）值：15ns/90ns
  • 测试条件：400V，6A，22 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：140ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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