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STGD7NB120S-1
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STGD7NB120S-1价格
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STGD7NB120S-1技术资料
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STGD7NB120S-1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 1200V 10A 55W IPAK
原厂封装:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
优势价格,STGD7NB120S-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGD7NB120S-1的技术资料下载
STGD7NB120S-1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGD7NB120S-1
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 1200V 10A 55W IPAK
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:PowerMESH
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):10A
电流-集电极脉冲(Icm):20A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,7A
功率-最大值:55W
开关能量:15mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:29nC
25°C时Td(开/关)值:570ns/-
测试条件:960V,7A,1 千欧,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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