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STGD7NB120ST4

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：IGBT 1200V 10A 55W DPAK

原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

优势价格，STGD7NB120ST4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGD7NB120ST4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGD7NB120ST4

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 1200V 10A 55W DPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH?

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：1200V

电流-集电极(Ic)（最大值）：10A

电流-集电极脉冲(Icm)：20A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，7A

功率-最大值：55W

开关能量：3.2μJ（开），15mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：29nC

25°C时Td（开/关）值：570ns/-

测试条件：960V，7A，1 千欧，15V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-

安装类型：表面贴装型

封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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