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STGFW40H65FB
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STGFW40H65FB技术资料
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STGFW40H65FB
IGBT - 单路
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
原厂封装：
TO-3P-3
优势价格，STGFW40H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGFW40H65FB的技术资料下载
STGFW40H65FB的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号: STGFW40H65FB
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 160A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，40A
功率 - 最大值: 62.5W
开关能量: 498μJ（开），363μJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 210nC
25°C 时 Td（开/关）值: 40ns/142ns
测试条件: 400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: -
ST公司封装: TO-3P-3 整包
安装类型: 通孔
ST出厂封装: TO-3PF-3
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