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    STGP10NB60S的图片

    STGP10NB60S

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 600V 29A 80W TO220
    原厂封装：TO-220-3
    优势价格，STGP10NB60S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    STGP10NB60S的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGP10NB60S
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 29A 80W TO220
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：29A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：80A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：80W
  • 开关能量：600μJ（开），5mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：33nC
  • 25°C时Td（开/关）值：700ns/1.2μs
  • 测试条件：480V，10A，1 千欧，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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