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STGP10NB60SD
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STGP10NB60SD技术资料
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STGP10NB60SD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 600V 29A 80W TO220
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,STGP10NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP10NB60SD的技术资料下载
STGP10NB60SD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGP10NB60SD
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 600V 29A 80W TO220
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:PowerMESH?
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):29A
电流-集电极脉冲(Icm):80A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.75V @ 15V,10A
功率-最大值:80W
开关能量:600μJ(开),5mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:33nC
25°C时Td(开/关)值:700ns/1.2μs
测试条件:480V,10A,1 千欧,15V
反向恢复时间(trr):37ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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