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STGP15H60DF
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STGP15H60DF技术资料
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STGP15H60DF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 600V 30A 115W TO220
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,STGP15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP15H60DF的技术资料下载
STGP15H60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGP15H60DF
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 600V 30A 115W TO220
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):30A
电流-集电极脉冲(Icm):60A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,15A
功率-最大值:115W
开关能量:136J(开),207J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:81nC
25°C时Td(开/关)值:24.5ns/118ns
测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):103ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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