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STGP19NC60KD技术资料
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STGP19NC60KD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 600V 35A 125W TO220
原厂封装:
TO-220-3
优势价格,STGP19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP19NC60KD的技术资料下载
STGP19NC60KD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGP19NC60KD
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 600V 35A 125W TO220
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:PowerMESH?
零件状态:有源
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):35A
电流-集电极脉冲(Icm):75A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
功率-最大值:125W
开关能量:165μJ(开),255μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:55nC
25°C时Td(开/关)值:30ns/105ns
测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):31ns
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
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