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STGP19NC60KD
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STGP19NC60KD技术资料
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STGP19NC60KD
单路IGBT
制造厂商:
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:
IGBT 600V 35A 125W TO220
原厂封装:
TO-220
优势价格,STGP19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP19NC60KD的技术资料下载
STGP19NC60KD的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号:STGP19NC60KD
制造厂家名称:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 35A 125W TO220
系列:PowerMESH?
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35A
Current - Collector Pulsed (Icm):75A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.75V @ 15V,12A
功率 - 最大值:125W
Switching Energy:165μJ (开), 255μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:55nC
25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
Test Condition:480V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):31ns
ST公司封装:TO-220-3
安装类型:通孔
ST出厂封装:TO-220
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