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STGP30H65F
单路IGBT
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
原厂封装:
TO-220
优势价格,STGP30H65F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGP30H65F的技术资料下载
STGP30H65F的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
ST意法半导体公司完整型号:STGP30H65F
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
Current - Collector Pulsed (Icm):120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值:260W
Switching Energy:350J (开), 400J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:105nC
25°C 时 Td(开/关)值:50ns/160ns
Test Condition:400V, 30A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-220-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
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