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    STGP3NB60KD的图片

    STGP3NB60KD

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 600V 10A 50W TO220
    原厂封装：TO-220-3
    优势价格，STGP3NB60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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    STGP3NB60KD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGP3NB60KD
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 10A 50W TO220
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：10A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：24A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，3A
  • 功率-最大值：50W
  • 开关能量：30μJ（开），58μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：14nC
  • 25°C时Td（开/关）值：14ns/33ns
  • 测试条件：480V，3A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：45ns
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3
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