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STGP8M120DF3的图片

STGP8M120DF3

晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造厂商：ST(意法半导体)

功能简述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

原厂封装：通孔

优势价格，STGP8M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGP8M120DF3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

制造商产品型号：STGP8M120DF3

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：管件

零件状态：-

IGBT类型：有源

电压-集射极击穿（最大值）：沟槽型场截止

电流-集电极(Ic)（最大值）：1200V

电流-集电极脉冲(Icm)：16A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：32A

功率-最大值：2.3V @ 15V，8A

开关能量：-

输入类型：390μJ（开），370μJ（关）

栅极电荷：标准

25°C时Td（开/关）值：32nC

测试条件：20ns/126ns

反向恢复时间(trr)：600V，8A，33 欧姆，15V

工作温度：103ns

安装类型：-55°C ~ 175°C（TJ）

封装：通孔

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