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    STGW15M120DF3的图片

    STGW15M120DF3

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 1200V 30A 259W
    原厂封装：TO-247-3
    优势价格，STGW15M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STGW15M120DF3的技术资料下载
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    STGW15M120DF3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGW15M120DF3
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 1200V 30A 259W
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：259W
  • 开关能量：550μJ（开），850μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：226nC
  • 25°C时Td（开/关）值：26ns/122ns
  • 测试条件：600V，15A，22 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：270ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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