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STGW20NC60VD的图片

STGW20NC60VD

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：IGBT 600V 60A 200W TO247
原厂封装：TO-247-3
优势价格，STGW20NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGW20NC60VD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGW20NC60VD
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 60A 200W TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：150A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
  • 功率-最大值：200W
  • 开关能量：220J（开），330J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：100nC
  • 25°C时Td（开/关）值：31ns/100ns
  • 测试条件：390V，20A，3.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：44ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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