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STGW25H120DF2的图片

STGW25H120DF2

ST图标
单路IGBT
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
原厂封装:TO-247
优势价格,STGW25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGW25H120DF2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号:STGW25H120DF2
  • 制造厂家名称:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
  • 系列:-
  • IGBT 类型:沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):100A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.6V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:375W
  • Switching Energy:600μJ (开), 700μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:100nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:29ns/130ns
  • Test Condition:600V,25A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):303ns
  • ST公司封装:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • ST出厂封装:TO-247
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