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STGW25M120DF3的图片

STGW25M120DF3

单路IGBT

制造厂商：意法半导体(STMicroelectronics)

功能简述：IGBT 1200V 50A 375W

原厂封装：TO-247-3

优势价格，STGW25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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STGW25M120DF3的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供

ST意法半导体标准完整型号：STGW25M120DF3

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 50A 375W

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A

Current - Collector Pulsed (Icm)：100A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，25A

功率 - 最大值：375W

Switching Energy：850μJ（开），1.3mJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：85nC

25°C 时 Td（开/关）值：28ns/150ns

Test Condition：600V， 25A， 15欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：265ns

ST公司封装：TO-247-3

安装类型：通孔

ST出厂封装：TO-247-3

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