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STGW25M120DF3
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STGW25M120DF3价格
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STGW25M120DF3技术资料
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STGW25M120DF3
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 1200V 50A 375W
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，STGW25M120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGW25M120DF3的技术资料下载
STGW25M120DF3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGW25M120DF3
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 1200V 50A 375W
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
电流-集电极脉冲(Icm)：100A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，25A
功率-最大值：375W
开关能量：850μJ（开），1.3mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：85nC
25°C时Td（开/关）值：28ns/150ns
测试条件：600V，25A，15欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：265ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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