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STGW25S120DF3
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STGW25S120DF3技术资料
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STGW25S120DF3
IGBT - 单路
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT 1200V 25A TO247
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,STGW25S120DF3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGW25S120DF3的技术资料下载
STGW25S120DF3的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
ST意法半导体公司完整型号: STGW25S120DF3
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 375W
开关能量: 830μJ(开),2.37mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 80nC
25°C 时 Td(开/关)值: 31ns/147ns
测试条件: 600V,25A,15欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 265ns
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
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