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STGW30N120KD
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STGW30N120KD技术资料
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STGW30N120KD
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 1200V 60A 220W TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，STGW30N120KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGW30N120KD的技术资料下载
STGW30N120KD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGW30N120KD
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 1200V 60A 220W TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：PowerMESH?
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
电流-集电极脉冲(Icm)：100A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.85V @ 15V，20A
功率-最大值：220W
开关能量：2.4mJ（开），4.3mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：105nC
25°C时Td（开/关）值：36ns/251ns
测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：84ns
工作温度：-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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