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STGW35NB60SD的图片

STGW35NB60SD

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IGBT 600V 70A 200W TO247
原厂封装:TO-247-3
优势价格,STGW35NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGW35NB60SD的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号:STGW35NB60SD
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 600V 70A 200W TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:PowerMESH?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):250A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.7V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:200W
  • 开关能量:840μJ(开),7.4mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:83nC
  • 25°C时Td(开/关)值:92ns/1.1μs
  • 测试条件:480V,20A,100 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):44ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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