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STGW60H65F技术资料
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STGW60H65F
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
IGBT 650V 120A 360W TO247
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，STGW60H65F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGW60H65F的技术资料下载
STGW60H65F的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGW60H65F
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：IGBT 650V 120A 360W TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：120A
电流-集电极脉冲(Icm)：240A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，60A
功率-最大值：360W
开关能量：750μJ（开），1.05mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：217nC
25°C时Td（开/关）值：65ns/180ns
测试条件：400V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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