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STGWA25H120DF2

ST图标
IGBT - 单路
制造厂商:意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
原厂封装:TO-247-3
优势价格,STGWA25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWA25H120DF2的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
  • ST意法半导体标准完整型号: STGWA25H120DF2
  • 制造厂家名称: STMicroelectronics
  • 功能总体简述: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
  • 系列: -
  • IGBT 类型: 沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): 50A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A
  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.6V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值: 375W
  • 开关能量: 600μJ(开),700μJ(关)
  • 输入类型: 标准
  • 栅极电荷: 100nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/130ns
  • 测试条件: 600V,25A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr): 303ns
  • ST公司封装: TO-247-3
  • 安装类型: 通孔
  • ST出厂封装: TO-247-3
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