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STGWA30IH65DF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
ST(意法半导体)
功能简述：
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
原厂封装：
TO-247-3
优势价格，STGWA30IH65DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWA30IH65DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号：STGWA30IH65DF
制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：IH
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
电流-集电极脉冲(Icm)：90A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.05V @ 15V，30A
功率-最大值：180W
开关能量：123μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：80nC
25°C时Td（开/关）值：-/200ns
测试条件：400V，30A，22 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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