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STGWA40H65DFB的图片

STGWA40H65DFB

ST图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：ST(意法半导体)
功能简述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247
原厂封装：TO-247-3
优势价格，STGWA40H65DFB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STGWA40H65DFB的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGWA40H65DFB
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：HB
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：160A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A
  • 功率-最大值：283W
  • 开关能量：498J（开），363J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：210nC
  • 25°C时Td（开/关）值：40ns/142ns
  • 测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：62ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
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